发明名称 铌粉、铌制粒物、铌烧结体及电容器、以及此等之制造方法
摘要 本发明提供一种每单位质量之容量较大,泄漏电流小,进而偏差少之电容器;提供一种效率良好之制造电容器用铌粉、铌合金粉、氢化铌粉、或氢化铌合金粉之方法;提供一种使用其铌粉、铌合金粉、氢化铌粉、或氢化铌合金粉之烧结体,及使用其烧结体之电容器之制造方法。;依本发明,在分散媒存在下,藉由使用度2~3.6g/cm3,破坏韧性值1.5MPa.m1/2以上之珠,例如氮化矽或含氮化矽化合物之媒体,将氢化铌或氢化铌合金予以粉碎,可高效率获得高容量铌粉。
申请公布号 TWI395820 申请公布日期 2013.05.11
申请号 TW094134976 申请日期 2005.10.06
申请人 昭和电工股份有限公司 日本 发明人 网田仁;大森和弘
分类号 C22C1/05;C01G33/00;B22F9/00;H01G9/00 主分类号 C22C1/05
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 日本