形成半导体装置与光学装置之方法及其结构

摘要

本发明提供一种整合制程，其中在进行处理以在相同半导体上形成诸如一光侦测器之一光学装置及一电晶体的过程中，形成一第一半导体保护层(32)及一第二半导体保护层(44)，以分别保护该第一(16)及第二(42)半导体材料。该第一半导体保护层在该第二半导体层形成过程中保护该半导体基板，且该第二半导体层在该第一半导体之随后处理过程中保护该第二半导体材料。在一实施例中，该第一半导体包含矽且该第二半导体材料包含锗。