FABRICATION METHOD OF RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE USING SIDEWALL AND SPACER PROCESSES AND RRAM FABRICATED BY THE SAME METHOD
摘要
<p>본 발명은 저항성 메모리 소자의 제조방법 및 이에 따라 제조된 저항성 메모리 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 각 셀당 상부전극이 하부전극을 향하여 하나의 뾰족한 돌출부를 갖도록 측벽 및 스페이서 공정을 이용하여 저항성 메모리 소자를 제조하는 방법과 이에 의하여 제조된 저항성 메모리 소자에 관한 것이다.</p>
