| 摘要 |
<p>L' invention concerne un procédé permettant de synthétiser un feuillet de graphène sur un siliciure de platine, ce siliciure de platine se présentant sous la forme d'une couche ou d'une pluralité de plots. Ce procédé comprend : a) la réalisation d'un empilement par (i) dépôt d'une couche Cl d'un matériau barrière de diffusion sur un substrat ; (ii) dépôt d'une couche C2 d'un matériau carboné sur la couche Cl, ledit matériau carboné pouvant comprendre du silicium ; (iii) dépôt d'une couche C3 de platine sur la couche C2 ; (iv) éventuellement, le dépôt d'une couche C4 d'un matériau de formule Si C H sur la couche C3, lorsque le matériau carboné utilisé à la sous-étape (ii) est exempt de silicium ; et b) le traitement thermique de l'empilement obtenu à l'étape a) . Elle se rapporte également aux structures obtenues par ce procédé ainsi qu'aux utilisations de ces structures. Applications : fabrication de dispositifs micro- et nanoélectroniques , de dispositifs micro- et nanomécaniques , etc.</p> |
