| 摘要 |
1. Термоэлектрический модуль, содержащий ряд полупроводников р- и n-типа, соединенных в ряд проводящими контактами, где проводящие контакты контактируют с субстратом с теплопроводностью от средней до высокой, который электрически изолирован от проводящих контактов резистивным поверхностным слоем, содержащим керамический материал, где резистивный поверхностный слой формируется из покрытия, содержащего смесь стекла и керамического материала в соотношении от 5 до 95 мас.% керамического материала к от 95 до 5 мас.% стекла.2. Термоэлектрический модуль по п.1, где субстратом является металл, сплав металла, полуметалл, полупроводник, графит, электропроводная керамика или их сочетание.3. Термоэлектрический модуль по п.1, где толщина резистивного поверхностного слоя составляет от 1 мкм до 500 мкм, предпочтительно от 1 мкм до 100 мкм.4. Термоэлектрический модуль по любому из пп.1-3, где проводящие контакты расположены на электроизолированном субстрате.5. Термоэлектрический модуль по любому из пп.1-3, где проводящие контакты наносят на термоэлектрические материалы.6. Термоэлектрический модуль по любому из пп.1-3, где термоэлектрические материалы внедрены, закреплены или вставлены в твердую матрицу, где материал матрицы имеет низкую тепло- и электропроводность и, предпочтительно, является керамикой, стеклом, слюдой, аэрогелем или сочетанием этих материалов.7. Термоэлектрический модуль по любому из пп.1-3, где субстратом является теплостойкая сталь, сплав железа или никеля.8. Термоэлектрический модуль по любому из пп.1-3, где керамический материал содержит окись алюминия, двуокись кремния, двуокись циркония, двуокись титана, двуокись кре |
