发明名称 PROCEDE D'OBTENTION D'UN SUBSTRAT POUR LA FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEUR ET SUBSTRAT CORRESPONDANT
摘要 Procédé d'obtention d'un substrat destiné à être utilisé lors de la fabrication d'un semi-conducteur, comprenant les étapes suivantes : (a) la fourniture d'un premier substrat (2) et d'un deuxième substrat (1) sensiblement plans et présentant chacun une surface déterminée, (b) la réalisation dans le deuxième substrat (1) d'un évidement (10) non traversant, la surface de cet évidement étant supérieure à la surface du premier substrat, de telle sorte que le premier substrat peut être logé dans ledit évidement, (c) le dépôt d'un matériau de collage (15) dans ledit évidement (10), (d) le dépôt du premier substrat (2) dans l'évidement (10) du deuxième substrat et sa fixation dans le deuxième substrat.
申请公布号 FR2982415(A1) 申请公布日期 2013.05.10
申请号 FR20110060193 申请日期 2011.11.09
申请人 COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIESALTERNATIVES 发明人 AIT-MANI ABDENACER;HUET STEPHANIE
分类号 H01L21/683;H01L21/78 主分类号 H01L21/683
代理机构 代理人
主权项
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