| 摘要 |
1. Устройство для обнаружения моноксида углерода, содержащее:- первый, каталитически неактивный, чувствительный к газу слой (7) для обнаружения этанола,- второй, каталитически активный, чувствительный к газу слой (8) для обнаружения концентраций моноксида углерода менее 1000 ppm,причем устройство выполнено так, чтобы посредством чувствительных к газу слоев (7, 8) при нагрузке моноксидом углерода и/или этанолом создавать по меньшей мере два поддающихся обработке сигнала.2. Устройство по п.1, причем устройство содержит средства для оценки сигнала, причем средства выполнены так, чтобы осуществлять определение концентрации моноксида углерода с поправкой на влияние этанола на измерение.3. Устройство по п.1 или 2, в котором, кроме того, предусмотрены элементы (2-6) второй системы полевых транзисторов, причем первый чувствительный к газу слой (7) предусмотрен в области первого затвора одной из систем полевых транзисторов, а второй чувствительный к газу слой (8) нанесен в области второго затвора следующей системы полевых транзисторов.4. Устройство по п.1 или 2, в котором первый чувствительный к газу слой (7) содержит оксид металла основной группы, в частности, GaO, SnO, InOили AlO.5. Устройство по п.3, в котором первый чувствительный к газу слой (7) содержит оксид металла основной группы, в частности, GaCO, SnO, InOили AlO.6. Устройство по п.1 или 2, в котором второй чувствительный к газу слой (8) содержит оксид металла побочной группы, в частности, LaO, СеО, MnO, МоО, TiO, VO.7. Устройство по п.3, в котором второй чувствительный к газу слой (8) содержит оксид металла побочной группы, в частности LaO, СеО, MnO, МоО, TiO, VO.8. Устройство по одному из пп.1, 2, или 7, в котором второй чувств |
