HIGH MOBILITY POWER METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTORS
摘要
<p>고 이동성 P-채널 전압 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터로서, 본 발명의 실시예에 따르면, 전압 MOSFET는 음 전위가 소스에 대하여 게이트에 적용될 때, 홀이 (110) 결정질 면을 따르는 반전/누적 채널에서 이동하고, 전류가 [110] 방향에 있도록 제조된다. 홀의 향상된 채널 이동성은 채널 부분의 온-상태 저항을 감소시키며, 그것에 의해 유리하게 디바이스의 전체적인 "온' 저항이 감소한다.</p>
