发明名称 Nitride light emitting device
摘要 <p>본 발명은 질화물계 발광 소자에 관한 것으로 특히, 발광 소자의 발광 효율과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 질화물계 발광 소자에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 질화물계 발광 소자에 있어서, 제1전도성 반도체층과; 상기 제1전도성 반도체층 상에 위치하여, 적어도 둘 이상의 제1양자우물층을 포함하며, 상기 제1양자우물층 사이에 상기 제1양자우물층보다 밴드갭이 작은 적어도 하나 이상의 제2양자우물층을 포함하는 활성층과; 상기 활성층 상에 위치하는 제2전도성 반도체층을 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.</p>
申请公布号 KR101262854(B1) 申请公布日期 2013.05.09
申请号 KR20060099603 申请日期 2006.10.13
申请人 发明人
分类号 H01L33/06 主分类号 H01L33/06
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利