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<p>반도체 소자 및 그 제조 방법이 제공된다. 상기 반도체 소자는 제1 도전형 에피층 내에 형성되는 제2 도전형 고전압 웰, 상기 제2 도전형 고전압 웰의 일 측면의 일부와 접하도록 상기 제1 도전형 에피층 내에 형성되는 제2 도전형 드레인 확장 영역, 상기 제2 도전형 드레인 확장 영역의 일측 면과 접하도록 상기 에피층 표면에 형성되는 제1 도전형 바디, 및 상기 제2 도전형 드레인 확장 영역과 이격되도록 상기 제2 도전형 고전압 웰 내에 형성되는 제2 도전형 웰을 포함한다.</p> |
