发明名称 |
薄膜晶体管阵列基板及其制造方法和有机发光显示装置 |
摘要 |
本发明公开一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法和有机发光显示装置。TFT阵列基板包括:薄膜晶体管,包括有源层、栅电极、源电极和漏电极、位于所述有源层和所述栅电极之间的第一绝缘层,和位于所述栅电极以及所述源电极和所述漏电极之间的第二绝缘层;位于第一绝缘层和第二绝缘层上且连接至所述源电极和所述漏电极之一的像素电极;电容器,包括位于与所述栅电极相同的层上的第一电极、由与像素电极相同的材料形成的第二电极、位于第二电极上的第一保护层,和位于第一保护层上的第二保护层;位于第二绝缘层和像素电极之间以及第一电极和第二电极之间的第三绝缘层;以及覆盖所述源电极和所述漏电极以及第二保护层且使像素电极暴露的第四绝缘层。 |
申请公布号 |
CN103094304A |
申请公布日期 |
2013.05.08 |
申请号 |
CN201210144179.9 |
申请日期 |
2012.05.10 |
申请人 |
三星显示有限公司 |
发明人 |
崔钟炫;崔宰凡 |
分类号 |
H01L27/32(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/32(2006.01)I |
代理机构 |
北京德琦知识产权代理有限公司 11018 |
代理人 |
罗正云;宋志强 |
主权项 |
一种薄膜晶体管阵列基板,包括:薄膜晶体管,包括:有源层,栅电极,源电极和漏电极,布置在所述有源层和所述栅电极之间的第一绝缘层,和布置在所述栅电极以及所述源电极和所述漏电极之间的第二绝缘层;像素电极,布置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上且连接至所述源电极和所述漏电极之一;电容器,包括:布置在与所述栅电极相同的层上的第一电极,由与所述像素电极相同的材料形成的第二电极,布置在所述第二电极上的第一保护层,和布置在所述第一保护层上的第二保护层;第三绝缘层,布置在所述第二绝缘层和所述像素电极之间以及所述第一电极和所述第二电极之间;以及第四绝缘层,覆盖所述源电极和所述漏电极以及所述第二保护层且使所述像素电极暴露。 |
地址 |
韩国京畿道 |