发明名称 互连电迁移的测试结构
摘要 本发明提供了一种互连电迁移的测试结构,所述互连电迁移的测试结构包括:待测结构;引线结构,包括第一引线以及第二引线;n层自上至下依次层叠的导电结构,位于所述待测结构和所述引线结构的下层,每一层所述导电结构包括第一通孔结构、第一连接结构、第二通孔结构、第三通孔结构、第二连接结构以及第四通孔结构,其中,n为大于等于2的正整数;电介质,所述待测结构、第一引线、第二引线、每一层的第一通孔结构、第一连接结构、第二通孔结构、第三通孔结构、第二连接结构以及第四通孔结构通过所述电介质绝缘间隔。在本发明提供的互连电迁移的测试结构,能准确评估待测结构的电迁移,从而保证待测结构的电迁移分析的准确性。
申请公布号 CN103094255A 申请公布日期 2013.05.08
申请号 CN201310062231.0 申请日期 2013.02.27
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 尹彬锋;钱燕妮;李瀚超
分类号 H01L23/544(2006.01)I 主分类号 H01L23/544(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 陆花
主权项 一种互连电迁移的测试结构,其特征在于,包括:待测结构;引线结构,包括第一引线以及第二引线;n层自上至下依次层叠的导电结构,位于所述待测结构和所述引线结构的下层,每一层所述导电结构包括第一通孔结构、第一连接结构、第二通孔结构、第三通孔结构、第二连接结构以及第四通孔结构,其中,n为大于等于2的整数,所述引线结构和导电结构用于为所述待测结构提供电流;以及电介质,所述待测结构、第一引线、第二引线、每一层的第一通孔结构、第一连接结构、第二通孔结构、第三通孔结构、第二连接结构以及第四通孔结构通过所述电介质绝缘间隔。
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