发明名称 |
互连电迁移的测试结构 |
摘要 |
本发明提供了一种互连电迁移的测试结构,所述互连电迁移的测试结构包括:待测结构;引线结构,包括第一引线以及第二引线;n层自上至下依次层叠的导电结构,位于所述待测结构和所述引线结构的下层,每一层所述导电结构包括第一通孔结构、第一连接结构、第二通孔结构、第三通孔结构、第二连接结构以及第四通孔结构,其中,n为大于等于2的正整数;电介质,所述待测结构、第一引线、第二引线、每一层的第一通孔结构、第一连接结构、第二通孔结构、第三通孔结构、第二连接结构以及第四通孔结构通过所述电介质绝缘间隔。在本发明提供的互连电迁移的测试结构,能准确评估待测结构的电迁移,从而保证待测结构的电迁移分析的准确性。 |
申请公布号 |
CN103094255A |
申请公布日期 |
2013.05.08 |
申请号 |
CN201310062231.0 |
申请日期 |
2013.02.27 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
尹彬锋;钱燕妮;李瀚超 |
分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
陆花 |
主权项 |
一种互连电迁移的测试结构,其特征在于,包括:待测结构;引线结构,包括第一引线以及第二引线;n层自上至下依次层叠的导电结构,位于所述待测结构和所述引线结构的下层,每一层所述导电结构包括第一通孔结构、第一连接结构、第二通孔结构、第三通孔结构、第二连接结构以及第四通孔结构,其中,n为大于等于2的整数,所述引线结构和导电结构用于为所述待测结构提供电流;以及电介质,所述待测结构、第一引线、第二引线、每一层的第一通孔结构、第一连接结构、第二通孔结构、第三通孔结构、第二连接结构以及第四通孔结构通过所述电介质绝缘间隔。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 |