发明名称 发光设备和控制发光设备的方法
摘要 本发明涉及发光设备和控制发光设备的方法。该发光设备包括:半导体激光器,该半导体激光器以单一纵向模式振荡,形成于半导体衬底之上;第一加热器,该第一加热器控制半导体激光器的温度,提供在半导体激光器附近;增益单元,该增益单元放大从半导体激光器输出的束并输出放大的束,形成于半导体衬底之上;第二加热器,该第二加热器控制增益单元的温度,提供在增益单元附近;以及二次谐波生成元件,该二次谐波生成元件将从增益单元输出的放大的束转变为二次谐波光并输出该二次谐波光。
申请公布号 CN103094831A 申请公布日期 2013.05.08
申请号 CN201210429591.5 申请日期 2012.10.31
申请人 富士通株式会社 发明人 早川明宪
分类号 H01S5/02(2006.01)I;H01S5/06(2006.01)I;H01S5/34(2006.01)I 主分类号 H01S5/02(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 康建峰;李春晖
主权项 一种发光设备,包括:半导体激光器,所述半导体激光器形成于半导体衬底之上,以单一纵向模式振荡;第一加热器,所述第一加热器提供在所述半导体激光器附近,控制所述半导体激光器的温度;增益单元,所述增益单元形成于所述半导体衬底之上,放大从所述半导体激光器输出的束并输出放大的束;第二加热器,所述第二加热器提供在所述增益单元附近,控制所述增益单元的温度;以及二次谐波生成元件,所述二次谐波生成元件将从所述增益单元输出的所述放大的束转变为二次谐波光并输出所述二次谐波光。
地址 日本神奈川县