发明名称 一种增加芯片压焊块区域的金属层厚度的方法及芯片
摘要 本发明公开了一种增加芯片压焊块区域的金属层厚度的方法及芯片,以增加芯片中压焊块区域的金属层的厚度,降低对芯片进行打线过程中打穿压焊块区域的金属层的概率。方法包括:在芯片的第一金属层上沉积钝化层,第一金属层覆盖在设置有压焊块区域的硅衬底上;在钝化层上涂覆光刻胶层;对光刻胶层进行曝光和刻蚀,将覆盖在芯片上的压焊块区域的光刻胶蚀刻掉;对所述钝化层进行各向同性刻蚀,将覆盖在所述压焊块区域的钝化层以及被光刻胶层覆盖的部分钝化层蚀刻掉,裸露第一金属层中覆盖在压焊块区域的金属层;在光刻胶层与覆盖在压焊块区域的金属层上生成第二金属层;采用剥离液溶解光刻胶层,以去除光刻胶层及剥落覆盖在光刻胶层上的金属层。
申请公布号 CN103094134A 申请公布日期 2013.05.08
申请号 CN201110338607.7 申请日期 2011.10.31
申请人 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 发明人 陈兆同;马万里;赵文魁
分类号 H01L21/60(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I 主分类号 H01L21/60(2006.01)I
代理机构 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人 郭润湘
主权项 一种增加芯片压焊块区域的金属层厚度的方法,其特征在于,包括:在芯片的第一金属层上沉积钝化层,所述第一金属层覆盖在设置有压焊块区域的硅衬底上;在所述钝化层上涂覆光刻胶层;对所述光刻胶层进行曝光和刻蚀,将覆盖在芯片上的压焊块区域的光刻胶蚀刻掉;对所述钝化层进行各向同性刻蚀,将覆盖在所述压焊块区域的钝化层以及被光刻胶层覆盖的部分钝化层蚀刻掉,以使得钝化层的刻蚀面大于光刻胶层的刻蚀面,且钝化层的刻蚀面完全覆盖光刻胶层的刻蚀面;裸露所述第一金属层中覆盖在所述压焊块区域的金属层;对所述芯片进行金属沉积,在所述光刻胶层与覆盖在压焊块区域的金属层上生成第二金属层;采用剥离液溶解光刻胶层,以去除光刻胶层及剥落第二金属层中覆盖在光刻胶层上的金属层。
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