| 发明名称 | 一种形成金属回路的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种形成金属回路的方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成绝缘层，且在所述绝缘层上形成一金属层；在所述金属层上形成一抗反射涂层；对所述抗反射涂层进行氧化处理；在所述抗反射涂层的表面形成光致抗蚀剂（PR）层，图案化所述金属层；蚀刻所述金属层。根据本发明，可以从根本上抑制金属回路缺陷的产生，并且所述金属蚀刻不受金属蚀刻腔内部状况的制约，可以缩短工艺周期，从而提高产量。本工艺过程简单，不需要增加额外的设备，与现有的半导体制造工艺完全兼容，不会产生任何副效应。 | ||
| 申请公布号 | CN103094195A | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201110341981.2 | 申请日期 | 2011.11.03 |
| 申请人 | 无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 陈亚威 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 汪洋;谢栒 |
| 主权项 | 一种形成金属回路的方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成绝缘层，且在所述绝缘层上形成一金属层；在所述金属层上形成一抗反射涂层；对所述抗反射涂层进行氧化处理；在所述抗反射涂层的表面形成光致抗蚀剂层，图案化所述金属层，并蚀刻所述金属层，以形成金属回路。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 | ||