| 发明名称 | 半导体装置的数据元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体装置的数据元件及其制造方法。该方法包括下列步骤：提供一第一导体；形成一介电层于该第一导体上；图案化该介电层以形成一贯穿孔；填充一导电层于该贯穿孔，且暴露该导电层的上表面；通过一等离子体氧化工艺将暴露的该导电层形成为一数据储存层；及形成一第二导体于该介电层与该数据储存层上，且该第二导体与该数据储存层直接接触。 | ||
| 申请公布号 | CN103094215A | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201210533795.3 | 申请日期 | 2009.02.04 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 简维志;张国彬;赖二琨;谢光宇 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供一第一导体；形成一介电层于该第一导体上；图案化该介电层以形成一贯穿孔；填充一导电层于该贯穿孔，且暴露该导电层的上表面；通过一等离子体氧化工艺将暴露的该导电层形成为一数据储存层；及形成一第二导体于该介电层与该数据储存层上，且该第二导体与该数据储存层直接接触。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||