发明名称 |
常压低温烧结β-氮化硅陶瓷的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种常压低温烧结β-氮化硅陶瓷的方法,其以β-氮化硅为原料,加入烧结助剂后配制成混合粉料;混合粉料在常压氮气氛下进行液相烧结;所述的烧结助剂由下述重量百分比的成分组成:MgO25~35%、CeO210~20%、AlPO45~10%、Y2O310~20%、Li2CO325~35%。本方法采用产量高,廉价易得的β-氮化硅粉;较之昂贵的高纯α-氮化硅粉料,成本大为降低。本方法是在常压氮气氛下液相烧结,烧结温度在1600℃以内,对设备要求较低,从而降低了设备成本。本方法所得氮化硅陶瓷制品的相对密度≥98%。抗弯强度达600~700Mpa,压痕硬度达7~8Gpa。 |
申请公布号 |
CN102276260B |
申请公布日期 |
2013.05.08 |
申请号 |
CN201110153979.2 |
申请日期 |
2011.06.09 |
申请人 |
中国科学院唐山高新技术研究与转化中心 |
发明人 |
刘得顺;王福;杨连弟;王京甫;徐锦标;郭金砚;邹艺峰 |
分类号 |
C04B35/596(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/596(2006.01)I |
代理机构 |
石家庄冀科专利商标事务所有限公司 13108 |
代理人 |
李桂芳;曹淑敏 |
主权项 |
一种常压低温烧结β‑氮化硅陶瓷的方法,其特征在于:其以β‑氮化硅为原料,加入烧结助剂后配制成混合粉料;混合粉料在常压氮气气氛下进行液相烧结;所述的烧结助剂由下述重量百分比的成分组成:MgO 25~35%、CeO2 10~20%、AlPO4 5~10%、Y2O3 10~20%、Li2CO3 25~35%;所述混合粉料中β‑氮化硅的重量百分比含量为85~95%,烧结助剂的重量百分比含量为5~15%;β‑氮化硅粉的平均粒径为0.1~3μm;所述的烧结助剂中氧化铈、氧化钇为纳米级,其余的烧结助剂成分为工业级;所述方法的工艺步骤为:a)研磨:将混合粉料放入高效研磨机中加入水研磨,研磨时间为1~3h,然后将料浆烘干;b)配料:每100重量份烘干后的料浆中加入0.5~2重量份聚乙烯醇,配制成均匀料浆;c)造粒:均匀料浆采用造粒机进行造粒,过200目筛;d)冷等静压:将造粒后得到的粉体装入模具中,用冷等静压机压制成型为成型坯体;e)排胶:将成型坯体放入排胶炉中排胶;f)烧结:将排胶后的成型坯体放入钼坩埚中,在通有常压氮气的高温炉中裸烧即可。 |
地址 |
063020 河北省唐山市高新区西昌路北口创业中心B座四层 |