薄膜Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳能电池

摘要

本发明利用其中牺牲层包括在基底和薄膜III-V族化合物太阳能电池之间的外延生长中的外延层剥离方法。为了在基底不存在的情况下为薄膜III-V族化合物太阳能电池提供支持，在薄膜III-V族化合物太阳能电池从基底分离之前，向薄膜III-V族化合物太阳能电池表面应用背衬层。为了从基底分离薄膜III-V族化合物太阳能电池，作为外延层剥离的一部分除去牺牲层。一旦薄膜III-V族化合物太阳能电池与基底分离，基底可以重复用于形成另一薄膜III-V族化合物太阳能电池。

主权项

一种不含基底的薄膜GaAs单结III‑V族化合物太阳能电池，所述薄膜GaAs单结III‑V族化合物太阳能电池包括：由GaAs形成的活性层；和在活性层上形成的背衬层；其中，所述薄膜GaAs单结III‑V族化合物太阳能电池在基底上形成，随后除去基底以留下不含基底的薄膜GaAs单结III‑V族化合物太阳能电池，和其中，所述不含基底的薄膜GaAs单结III‑V族化合物太阳能电池在操作电压范围内的电流密度高于固定在基底上的GaAs单结III‑V族化合物太阳能电池在操作电压范围内的电流密度。