发明名称 用于离子迁移谱仪的离子门结构和离子迁移谱仪的操作方法
摘要 本发明涉及一种用于离子迁移谱仪的离子门结构,其包括用于存储来自离子迁移谱仪的电离源的离子的存储电极,其中所述存储电极包括锥形电极和等电位电极,所述等电位电极在离子存储阶段与所述锥形电极等电位,并且其中所述锥形电极包括中心孔和分布在所述中心孔周围的多个分流气孔。由于锥形电极上设置有多个分流气孔,能够分流或削弱用于携带样品分子或离子的大流量载气,避免存储在存储电极中的样品离子被强大的载气流带走,从而能够有效地提高离子迁移谱仪的存储效率和灵敏度。
申请公布号 CN102313774B 申请公布日期 2013.05.08
申请号 CN201010223331.3 申请日期 2010.06.30
申请人 清华大学;同方威视技术股份有限公司 发明人 李元景;陈志强;张清军;赵自然;刘以农;曹士娉
分类号 G01N27/64(2006.01)I;H01J49/06(2006.01)I 主分类号 G01N27/64(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 刘晓峰
主权项 一种用于离子迁移谱仪的离子门结构,包括用于存储来自离子迁移谱仪的电离源的离子的存储电极,其特征在于:所述存储电极包括锥形电极和等电位电极,所述等电位电极在离子存储阶段与所述锥形电极等电位以在存储电极附近形成零电场存储区域,并且其中所述锥形电极包括中心孔和分布在所述中心孔周围的多个分流气孔。
地址 100084 北京市海淀区清华大学