发明名称 浅槽隔离结构及其进行离子注入的方法
摘要 本发明公开了一种浅槽隔离结构,其截面形状呈现为正梯形,即开口处的宽度小于底部的宽度,其侧壁与底部的夹角为锐角;所述浅槽隔离结构包括内侧墙和填充结构两部分,所述填充结构的截面形状为矩形或倒梯形,倒梯形指开口处的宽度大于底部的宽度。本发明还公开了所述浅槽隔离结构进行离子注入的方法。本发明由于采用了正梯形的沟槽截面形状,因此对沟槽底部进行离子注入时可以采用高能量的离子注入工艺,而不用担心会对沟槽的侧壁造成损害。沟槽中的内侧墙可以避免沟槽填充出现空洞的问题。
申请公布号 CN103094286A 申请公布日期 2013.05.08
申请号 CN201110350560.6 申请日期 2011.11.08
申请人 上海华虹NEC电子有限公司 发明人 钱文生
分类号 H01L27/12(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I 主分类号 H01L27/12(2006.01)I
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人 丁纪铁
主权项 一种浅槽隔离结构,其特征是,其截面形状呈现为正梯形,即开口处的宽度小于底部的宽度,其侧壁与底部的夹角为锐角;所述浅槽隔离结构包括内侧墙和填充结构两部分,所述填充结构的截面形状为矩形或倒梯形,倒梯形指开口处的宽度大于底部的宽度。
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