发明名称 |
浅槽隔离结构及其进行离子注入的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种浅槽隔离结构,其截面形状呈现为正梯形,即开口处的宽度小于底部的宽度,其侧壁与底部的夹角为锐角;所述浅槽隔离结构包括内侧墙和填充结构两部分,所述填充结构的截面形状为矩形或倒梯形,倒梯形指开口处的宽度大于底部的宽度。本发明还公开了所述浅槽隔离结构进行离子注入的方法。本发明由于采用了正梯形的沟槽截面形状,因此对沟槽底部进行离子注入时可以采用高能量的离子注入工艺,而不用担心会对沟槽的侧壁造成损害。沟槽中的内侧墙可以避免沟槽填充出现空洞的问题。 |
申请公布号 |
CN103094286A |
申请公布日期 |
2013.05.08 |
申请号 |
CN201110350560.6 |
申请日期 |
2011.11.08 |
申请人 |
上海华虹NEC电子有限公司 |
发明人 |
钱文生 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
丁纪铁 |
主权项 |
一种浅槽隔离结构,其特征是,其截面形状呈现为正梯形,即开口处的宽度小于底部的宽度,其侧壁与底部的夹角为锐角;所述浅槽隔离结构包括内侧墙和填充结构两部分,所述填充结构的截面形状为矩形或倒梯形,倒梯形指开口处的宽度大于底部的宽度。 |
地址 |
201206 上海市浦东新区川桥路1188号 |