基片处理设备及其腔室装置和基片加热方法

摘要

本发明公开了基片处理设备及其腔室装置和基片加热方法。所述腔室装置包括：腔室本体，其内限定有处理腔室；设在所述处理腔室内的顶部的加热部件；设在所述处理腔室内用于支承基片的支承台，支承台的上表面与加热部件相对；和匀热板，匀热板在等待位置和匀热位置之间可移动，其中在匀热位置匀热板位于加热部件与支承台之间而在等待位置匀热板离开加热部件与支承台之间。根据本发明实施例的腔室装置，可以将由加热部件产生的热均匀化后再通过热辐射、热对流等方式传导给基片，因此可以实现对基片的均匀加热。

主权项

一种用于处理基片的腔室装置，其特征在于，包括：腔室本体，所述腔室本体内具有处理腔室；第一加热部件，所述第一加热部件设在所述处理腔室内的顶部；支承台，所述支承台设在所述处理腔室内用于支承基片，所述支承台的上表面与所述第一加热部件相对；和匀热板，所述匀热板可在匀热位置与等待位置之间移动，所述匀热位置位于所述第一加热部件与所述支承台之间，所述等待位置远离所述匀热位置。