一种II-VI族稀释氧化物半导体薄膜太阳电池

摘要

一种II-VI族稀释氧化物半导体薄膜太阳电池属于新结构的光伏电池。其要点是采用一种II-VI族稀释氧化物半导体薄膜（三带隙材料）作为吸收层，这种稀释氧化物半导体薄膜为掺氧含量比较低的ZnSe（ZnSeO），即ZnSe1-xOx，0＜x＜0.1。本发明中太阳电池的结构为：衬底/ZnSe基PIN结构的功能层/过渡层材料/电极。采用上述结构的太阳电池，可更好收集和利用太阳光，增加耗尽层宽度，获得更高的光电转换效率。

主权项

一种II‑VI族稀释氧化物半导体薄膜太阳电池，结构为：衬底/ZnSe基PIN结构的功能层/过渡层/电极，其特征是：在单晶衬底上，外延依次沉积ZnSe基PIN结构功能层的n层ZnSe，i层稀释掺氧的ZnSe，p层ZnSe，然后沉积过渡层，最后沉积电极，其中，i层为掺氧含量比较低的ZnSe，即ZnSe1‑xOx，0＜x＜0.1，并在稀释掺氧后发生能带劈裂产生中间带。