制造半导体器件的方法和半导体器件

摘要

本发明涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。制造本发明的半导体器件的方法包括下述步骤：在衬底上形成第一沟槽和与第一沟槽相交的第二沟槽；在衬底的整个表面的上方形成膜以使得填充第一沟槽和第二沟槽；以及移除位于衬底的顶表面的上方的膜的部分，以使得将膜留在第一沟槽和第二沟槽中；其中在形成第一沟槽和第二沟槽的步骤中，在第一沟槽和第二沟槽的交叉的部分中形成凸起，以使得在平视图中从交叉的部分的一个角朝着其中心延伸。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底中，形成第一沟槽和与所述第一沟槽相交的第二沟槽；在所述衬底的整个表面的上方形成膜以使得填充所述第一沟槽和所述第二沟槽；以及移除位于所述衬底的顶表面的上方的一部分所述膜，以使得保留所述第一沟槽和所述第二沟槽中的所述膜；其中，在所述形成所述第一沟槽和所述第二沟槽中，在所述第一沟槽和所述第二沟槽的交叉的部分中形成凸起，以使得在平视图中所述凸起从所述交叉的部分的一个角朝着其中心延伸。