用于提取HBT器件中基区寄生电阻的方法

摘要

本发明公开了一种用于提取HBT器件中基区寄生电阻的方法，包括以下步骤：第一步，采用截面为矩形环状发射极多晶硅，通过矩形环状发射极多晶硅的屏蔽，形成锗硅多晶硅的连接电阻；使矩形环状发射极多晶硅的条宽、长度取不同的数值，得出一组线性变化值，通过对器件模型上的拟合推出精确的阻值；第二步，在矩形环状发射极多晶硅上开矩形环状发射区窗口，形成锗硅多晶硅的基区窗口电阻；使矩形环状发射区窗口的条宽、长度取不同的数值，得出一组线性变化值，通过对器件模型上的拟合推出精确的阻值。本发明能够精确地提取HBT器件中基区的SiGe Poly寄生电阻，有效地提高器件模型的准确度，为系统级仿真提供更好的指导。

主权项

一种用于提取HBT器件中基区寄生电阻的方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，采用截面为矩形环状发射极多晶硅，通过矩形环状发射极多晶硅的屏蔽，形成锗硅多晶硅的连接电阻；使矩形环状发射极多晶硅的条宽、长度取不同的数值，得出一组线性变化值，通过对器件模型上的拟合推出精确的阻值；第二步，在矩形环状发射极多晶硅上开矩形环状发射区窗口，形成锗硅多晶硅的基区窗口电阻；使矩形环状发射区窗口的条宽、长度取不同的数值，得出一组线性变化值，通过对器件模型上的拟合推出精确的阻值。