Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung der Stress-Memorization-Technologie

摘要

Das Herstellen einer Halbleitervorrichtung enthält das Bereitstellen eines eine Gateelektrode tragenden Substrates (S100), das Amorphisieren (S110) und Dotieren der auf beiden Seiten der Gateelektrode befindlichen Source/Drain-Bereiche (S120) durch Durchführen eines Pre-Amorphization-Implantation(PAI)-Verfahrens und Implantieren von C oder N in die Source/Drain-Bereiche bei dem oder getrennt von dem PAI-Verfahren, das Bilden einer spannungsinduzierenden Schicht auf dem Substrat (S130) zum Bedecken der amorphisierten Source/Drain-Bereiche und das anschließende Rekristallisieren der Source/Drain-Bereiche durch Tempern des Substrates (S140). Die spannungsinduzierende Schicht kann dann entfernt werden (S150). Außerdem kann C oder N in die Gesamtheit der Source/Drain-Bereiche, nachdem diese Bereiche amorphisiert wurden, oder nur in obere Abschnitte der amorphisierten Source/Drain-Bereiche implantiert werden.