发明名称 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法以及有机发光显示器
摘要 本发明公开一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法以及有机发光显示器。在一个实施例中,该基板包括:1)薄膜晶体管,包括有源层、栅电极、源电极和漏电极;2)电容器的下电极;3)电容器的上电极,形成在下电极上;4)第一绝缘层,在下电极和上电极之间以及在有源层和栅电极之间,并且具有在下电极外侧的间隙。该基板还可包括:1)第二绝缘层,形成在第一绝缘层上,并且在间隙中具有与第一绝缘层相同的蚀刻表面;2)桥,由与源电极和漏电极相同的材料构成,并且填充间隙的一部分;以及3)第三绝缘层,覆盖源电极和漏电极,并且暴露像素电极。
申请公布号 CN103094305A 申请公布日期 2013.05.08
申请号 CN201210196013.1 申请日期 2012.06.14
申请人 三星显示有限公司 发明人 金炳箕;李大宇;崔钟炫
分类号 H01L27/32(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I 主分类号 H01L27/32(2006.01)I
代理机构 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人 罗正云;宋志强
主权项 一种薄膜晶体管阵列基板,包括:薄膜晶体管,包括有源层、栅电极、源电极和漏电极;电容器的下电极,由与所述有源层相同的层构成;所述电容器的上电极,形成在所述下电极上;第一绝缘层,形成在所述下电极和所述上电极之间,以及形成在所述有源层和所述栅电极之间,其中在所述下电极外侧形成间隙;第二绝缘层,形成在所述第一绝缘层上并且在所述间隙内具有与所述第一绝缘层相同的蚀刻表面;桥,由与所述源电极和所述漏电极中至少一个相同的材料构成,其中所述桥至少部分填充所述间隙;像素电极,由与所述上电极相同的材料构成;以及第三绝缘层,覆盖所述源电极和所述漏电极,其中在所述第三绝缘层中限定开口,并且其中所述像素电极的至少一部分形成在所述开口中。
地址 韩国京畿道