| 发明名称 | 一种NMOS器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种NMOS器件，包括：P型衬底、浅沟槽隔离、P阱、热氧化层、二氧化硅介质层、氮化硅硬掩膜层、隔离侧墙和补偿区，所述浅沟槽隔离、热氧化层、P阱和补偿区并列于P型衬底上方，所述热氧化层和补偿区位于浅槽隔离和P阱之间，所述二氧化硅介质层位于P阱上方，所述隔离侧墙位于补偿区上方与二氧化硅介质层相邻，所述氮化硅硬掩膜层位于二氧化硅介质层上方与隔离侧墙相邻，所述热氧化层具有P型杂质。本发明还公开了一种NMOS器件的制作方法。本发明的NMOS器件及其制作方法能抑制深亚微米工艺中NMOS器件的窄沟槽效应。 | ||
| 申请公布号 | CN103094339A | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201110340533.0 | 申请日期 | 2011.11.01 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 刘冬华;胡君;钱文生;韩峰;石晶;陈雄斌 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种NMOS器件，包括：P型衬底、浅沟槽隔离、P阱、热氧化层、二氧化硅介质层、氮化硅硬掩膜层、隔离侧墙和补偿区，所述浅沟槽隔离、热氧化层、P阱和补偿区并列于P型衬底上方，所述热氧化层和补偿区位于浅槽隔离和P阱之间，所述二氧化硅介质层位于P阱上方，所述隔离侧墙位于补偿区上方与氮化硅介质层相邻，所述氮化硅硬掩膜层位于二氧化硅介质层上方与隔离侧墙相邻；其特征是：所述热氧化层具有P型杂质。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||