发明名称 |
同轴连接器和同轴连接器的制造方法 |
摘要 |
本发明提供同轴连接器和同轴连接器的制造方法。该同轴连接器的制造方法能够实现低成本的高频用同轴连接器。该同轴连接器包括:中心导体,其具有在侧表面设有台阶部的圆柱状的区域;圆筒形的固定树脂部,其通过嵌入成形而以覆盖台阶部的方式形成;以及外部导体,其包围固定树脂部的侧表面。台阶部例如呈凹状地形成在中心导体的侧表面。对于固定树脂部,处于0℃以上且150℃以下的温度范围、以及22GHz以下的频率范围内时的相对介电常数为1.9以上且2.1以下,而且320℃以上且400℃以下时的、基于JIS K7210的熔融粘度为2.0×104Pa·s以上且6.0×105Pa·s以下。 |
申请公布号 |
CN103094797A |
申请公布日期 |
2013.05.08 |
申请号 |
CN201210407772.8 |
申请日期 |
2012.10.23 |
申请人 |
株式会社木村电气工业 |
发明人 |
西村信治 |
分类号 |
H01R24/38(2011.01)I;H01R13/40(2006.01)I;H01R13/02(2006.01)I;H01R43/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01R24/38(2011.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇;张会华 |
主权项 |
一种同轴连接器,包括:中心导体,其具有在侧表面设有台阶部的圆柱状的区域;圆筒形的固定树脂部,其通过嵌入成形而以覆盖上述台阶部的方式形成,且固定于上述中心导体;以及外部导体,其包围上述固定树脂部的侧表面;对于上述固定树脂部的形成材料,处于0℃以上且150℃以下的温度范围、以及22GHz以下的频率范围内时的相对介电常数为1.9以上且2.1以下,而且320℃以上且400℃以下时的、基于JIS K7210的熔融粘度为2.0×104Pa·s以上且6.0×105Pa·s以下。 |
地址 |
日本国东京都 |