| 发明名称 | 氮氧化硅膜及其形成方法以及半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种不含氢及游离氟，从而膜特性良好的绝缘性膜。本发明的氮氧化硅膜包含硅、氮、氧及氟而成，氮N、氧O及氟F的合计(N+O+F)相对于硅Si的元素比率(N+O+F)/Si处于1.93～1.48的范围内，且该膜中的硅的元素比率处于0.34～0.41、氮的元素比率处于0.10～0.22、氧的元素比率处于0.14～0.38及氟的元素比率处于0.17～0.24的范围内。该膜可使用例如四氟化硅气体、氮气及氧气来作为原料气体28，利用通过感应耦合而生成等离子40的感应耦合型等离子化学气相沉积法，而形成在基板20上。 | ||
| 申请公布号 | CN103098187A | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201080069030.8 | 申请日期 | 2010.12.08 |
| 申请人 | 日新电机株式会社 | 发明人 | 安东靖典;高桥英治;藤原将喜 |
| 分类号 | H01L21/318(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/318(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 臧建明 |
| 主权项 | 一种氮氧化硅膜，包括硅、氮、氧及氟而成，所述氮氧化硅膜的特征在于：氮N、氧O及氟F的合计(N+O+F)相对于硅Si的元素比率(N+O+F)/Si是：处于1.93～1.48的范围内，且该膜中的硅的元素比率处于0.34～0.41、氮的元素比率处于0.10～0.22、氧的元素比率处于0.14～0.38及氟的元素比率处于0.17～0.24的范围内。 | ||
| 地址 | 日本京都府京都市右京区梅津高亩町47番地 | ||