一种采用GaN自图形化模板a面常闭型HEMT制作方法

摘要

本发明公开一种采用GaN自图形化模板a面常闭型HEMT制作方法，其步骤：在MOCVD反应腔中，通过InGaN分解得到GaN自图形化生长模板；在模板上生长本征GaN层、AlN插入层、本征AlGaN插入层、n型AlGaN层；HEMT器件采用凹型栅极的MIS-HEMT结构。本发明的优点在于：通过InGaN器件内自建图形代替常规的ICP刻蚀二次外延的方法，降低了生长过程的复杂度；实验证实，当生长温度超过1100℃后，InGaN基完全分解。以此制作GaN自图形化模板，可以限制GaN生长的各向异性，提高晶体质量和表面形貌；非极性a面上制作的HEMT器件，规避了c面的极化效应。

主权项

一种采用GaN自图形化模板a面常闭型HEMT制作方法，其步骤：1)采用MOCVD在蓝宝石衬底上制备出InGaN薄膜，然后通过InGaN分解得到GaN自图形化生长模板；2)在模板上外延生长出本征GaN层、AlN插入层、本征AlGaN插入层、n型AlGaN层；3)HEMT器件采用凹型栅极的MIS‑HEMT结构。