发明名称 |
发光二极管芯片及其制造方法 |
摘要 |
详述了一种发光二极管芯片,其包括n导电区(1)、p导电区(2)、处于n导电区(1)与p导电区(2)之间的有源区(3)、处于p导电区(2)的远离有源区(3)的那侧处的镜面层(4)、以及被形成为具有电绝缘材料的绝缘层(5),其中镜面层(4)被设计成反射在有源区(3)中产生的电磁辐射,并且镜面层(4)具有穿孔(41),其中,镜面层(4)的侧面区域(4a)在穿孔(41)的区域中完全被绝缘层(5)覆盖。 |
申请公布号 |
CN103098235A |
申请公布日期 |
2013.05.08 |
申请号 |
CN201180043421.7 |
申请日期 |
2011.08.11 |
申请人 |
欧司朗光电半导体有限公司 |
发明人 |
卢茨·赫佩尔 |
分类号 |
H01L33/00(2006.01)I;H01L33/20(2006.01)I;H01L33/38(2006.01)I;H01L33/22(2006.01)I;H01L33/44(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
王萍;李春晖 |
主权项 |
一种发光二极管芯片,包括:‑n导电区(1);‑p导电区(2);‑有源区(3),所述有源区(3)处于所述n导电区(1)与p导电区(2)之间;‑镜面层(4),所述镜面层(4)处于所述p导电区(2)的远离所述有源区(3)的那侧;以及‑绝缘层(5),所述绝缘层(5)被形成为具有电绝缘材料,其中‑所述镜面层(4)被设计成反射在所述有源区(3)中产生的电磁辐射;以及‑所述镜面层(4)具有穿孔(41),其中,所述镜面层(4)的侧面区域(4a)在所述穿孔(41)的区域中完全被所述绝缘层(5)覆盖。 |
地址 |
德国雷根斯堡 |