| 发明名称 | 一种可变电容及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可变电容及其制作方法。该可变电容包括依次排列的高阻GaN层、高迁移率GaN层、AlGaN势垒层和金属层。该方法包括：在衬底上生长缓冲层；在缓冲层上依次生长高阻GaN层和高迁移率GaN层；在高迁移率GaN层上生长AlGaN势垒层；在AlGaN势垒层上采用ICP-RIE方法刻蚀隔离岛；然后涂光刻胶，进行光刻、曝光并显影，形成肖特基电极图形；再通过电子束蒸发一金属层，将光刻胶剥离后形成可变电容。利用本发明，可在GaN基上实现与高电子迁移率晶体管HEMT工艺兼容的可变电容，对于实现LNAs、VCOs以及混频器等电路有重要意义。 | ||
| 申请公布号 | CN103094360A | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201210256999.7 | 申请日期 | 2012.07.23 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 靳纯艳;王金延;方敏;张波;王茂俊;于民;解冰;吴文刚 |
| 分类号 | H01L29/92(2006.01)I;H01L21/334(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/92(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人 | 余长江 |
| 主权项 | 一种可变电容，其特征在于，包括依次排列的高阻GaN层、高迁移率GaN层、AlGaN势垒层和金属层。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学 | ||