制造半导体膜的装置及方法

摘要

公开了制造半导体膜的方法，包括如下步骤：提供基板、使至少一种化学元素的原子依次进行热蒸发和热裂解两个阶段从而形成自由基以及将所述自由基沉淀到所述基板的表面；还公开了制造半导体膜的装置，包括真空室，在所述真空室上设置有至少一个热裂解部件，所述热裂解部件分为均与真空室内部相连通的低温区和高温区，所述高温区中还设置有碰撞板。

主权项

制造半导体膜的装置，包括真空室(5)，在所述真空室(5)上设置有至少一个热裂解部件(10)，所述热裂解部件(10)分为相连通的低温区(8)和高温区(9)，所述高温区(9)还与所述真空室(5)内部相连通且其中还设置有碰撞板。