| 发明名称 | 一种键合后晶圆退火方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种键合后晶圆退火方法。本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种键合晶圆退火技术的优化，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，将键合后的晶圆以低于15℃/min的加温速率从室温加热至300℃；步骤二，将步骤一后的晶圆在300℃下保温1小时以上；步骤三，将步骤二后的晶圆以低于20℃/min的降温速率降温至室温。本发明的有益效果是：在退火的过程中，以较低的速率缓慢升温和以较低的速率缓慢降温，基本不用对现有的设备进行改动，整个退火过程只需要一次升温和一次降温，控制简单，操作方便，简化了现有退火工艺，并且有效地避免了升温和降温的速率过快导致晶圆的破片，提高了产能。 | ||
| 申请公布号 | CN103094099A | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201310012670.0 | 申请日期 | 2013.01.14 |
| 申请人 | 陆伟 | 发明人 | 李平 |
| 分类号 | H01L21/324(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/324(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人 | 杨立 |
| 主权项 | 一种键合后晶圆退火方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，将键合后的晶圆置于腔体内以低于15℃/min的加温速率从室温加热至300℃；步骤二，将步骤一处理后的晶圆在300℃下保温1小时以上；步骤三，将步骤二处理后的晶圆以低于20℃/min的降温速率降温至室温。 | ||
| 地址 | 200124 上海市浦东新区海阳路905弄9号301室 | ||