一种提高氧化锌基低压压敏陶瓷薄膜电性能的方法

摘要

本发明涉及压敏陶瓷，具体地说是一种提高氧化锌基低压压敏陶瓷薄膜电性能的方法，其特征在于：在氧化锌基低压压敏陶瓷薄膜样品表面上贴上铝箔作为吸收层，在铝箔表面上涂上、粘贴或者覆盖上约束层之后将陶瓷薄膜样品镶嵌在模具上，对陶瓷薄膜样品进行激光冲击，以提高氧化锌基低压压敏陶瓷薄膜的电性能。本发明通过采用激光冲击处理技术对氧化锌基陶瓷薄膜进行表面处理，采用上述的液体约束层得到的氧化锌基陶瓷薄膜，其非线性系数比冲击前提高了24%以上；压敏电压比冲击前降低了30%以上；漏电流密度比冲击前降低了35%以上，本发明的优点是在降低薄膜压敏电压的同时，提高了薄膜的非线性系数。

主权项

一种提高氧化锌基低压压敏陶瓷薄膜电性能的方法，在氧化锌基低压压敏陶瓷薄膜样品表面上贴上铝箔作为吸收层，在铝箔表面上涂上、粘贴或者覆盖上约束层之后将陶瓷薄膜样品镶嵌在模具上，对陶瓷薄膜样品进行激光冲击，以提高氧化锌基低压压敏陶瓷薄膜的电性能，其特征在于：约束层采用如下方法制备：在反应釜内加入二甲基环状硅氧烷、止链剂六甲基二硅醚或三甲基硅基封端的二甲基硅氧烷低聚体和催化剂四甲基氢氧化铵，止链剂的加入量为二甲基环状硅氧烷质量的2.0~8.0%，催化剂的加入量为反应物总质量的0.01~0.03%，在80～90℃/60毫米汞柱下进行调聚反应，反应结束后，解除真空，升温至150～200℃，破坏催化剂和脱除低沸物，冷却后，即得液体约束层；或采用如下方法制备：在反应釜中加入硅油或硅橡胶的低沸物、六甲基二硅醚和浓度为98%的硫酸，六甲基二硅醚的加入量为硅油或硅橡胶的低沸物质量的1.3~3.5%，浓度为98%的硫酸为反应物总质量的2~5%，在搅拌下于50～60℃进行调聚反应，反应结束后，放去酸水层，油层水洗至中性，然后于150～200℃/10毫米汞柱下蒸除低沸物，冷却后用活性炭脱色，减压抽滤得液体约束层。