发明名称 |
半导体器件 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体器件,所述半导体器件包括:高压发生器,所述高压发生器用于通过升高电源电压来产生高压;传送电路,所述传送电路用于响应于传送信号而将高压传送到内部电路;以及第一放电电路,所述第一放电电路用于在电源电压下降时对高压发生器的输出节点的高压或传送单元的输入节点或输出节点的高压放电。 |
申请公布号 |
CN103093813A |
申请公布日期 |
2013.05.08 |
申请号 |
CN201210362217.8 |
申请日期 |
2012.09.25 |
申请人 |
爱思开海力士有限公司 |
发明人 |
柳济一 |
分类号 |
G11C16/06(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 |
代理人 |
周晓雨;俞波 |
主权项 |
一种半导体器件,包括:高压发生器,所述高压发生器被配置成通过升高电源电压来产生高压;传送电路,所述传送电路被配置成响应于传送信号而将所述高压传送到内部电路;以及第一放电电路,所述第一放电电路被配置成在所述电源电压下降时将所述高压发生器的输出节点的高压或所述传送电路的输入节点或输出节点的高压放电。 |
地址 |
韩国京畿道 |