电极结构、氮化镓基半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种电极结构、包括该电极结构的GaN基半导体器件及其制造方法。该GaN基半导体器件可以包括：GaN基半导体层；以及在GaN基半导体层上的电极结构。该电极结构可以包括：包括导电材料的电极元件；以及在电极元件和GaN基半导体层之间的扩散层。该扩散层可以包括关于GaN基半导体层为n型掺杂剂的材料并且该扩散层接触GaN基半导体层。例如，扩散层可以包括从Ge、Si、Sn、Pb、GeSi及其组合中选出的至少一种。GaN基半导体层的接触扩散层的区域可以用所述n型掺杂剂掺杂。该GaN基半导体层可以包括例如GaN层和AlGaN层。GaN基半导体器件可以是高电子迁移率晶体管（HEMT）和/或可以是功率器件。

主权项

一种GaN基半导体器件，包括：GaN基半导体层；以及电极结构，在所述GaN基半导体层上，该电极结构包括：电极元件，包括导电材料，和扩散层，在所述电极元件和所述GaN基半导体层之间，该扩散层包括关于所述GaN基半导体层为n型掺杂剂的材料，并且该扩散层接触所述GaN基半导体层，所述GaN基半导体层的接触所述扩散层的区域用所述n型掺杂剂掺杂。