| 发明名称 | 一种半导体结构的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括：a)提供衬底(100)；b)在该衬底(100)之上形成伪栅堆叠，该伪栅堆叠包括栅极介质层(203)以及所述栅极介质层(203)上的伪栅(201)，所述伪栅(201)的材料是非晶硅；c)对所述伪栅(201)两侧的所述衬底(100)上暴露的区域进行离子注入，以形成源/漏区(110)；d)形成覆盖所述源/漏区(110)以及所述伪栅堆叠的层间介质层(400)；e)除去所述层间介质层(400)的一部分以暴露所述伪栅(201)，并移除所述伪栅(201)；f)执行源漏注入退火工艺。本发明提供的半导体结构的制造方法改变传统的替代栅工艺的流程，因此容易控制刻蚀时间，以及降低刻蚀难度，从而保证刻蚀工艺的稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN103094120A | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201110351250.6 | 申请日期 | 2011.11.08 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 尹海洲;于伟泽 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人 | 朱海波 |
| 主权项 | 一种半导体结构的制造方法，该方法包括：a)提供衬底(100)；b)在该衬底(100)之上形成伪栅堆叠，该伪栅堆叠包括栅极介质层(203)以及所述栅极介质层(203)上的伪栅(201)，所述伪栅(201)的材料是非晶硅；c)对所述伪栅(201)两侧的所述衬底(100)上暴露的区域进行离子注入，以形成源/漏区(110)；d)形成覆盖所述源/漏区(110)以及所述伪栅堆叠的层间介质层(400)；e)除去所述层间介质层(400)的一部分以暴露所述伪栅(201)，并移除所述伪栅(201)；f)执行源漏注入退火工艺。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||