| 发明名称 | 包括两个功率半导体芯片的装置及其制造 | ||
| 摘要 | 本发明涉及包括两个功率半导体芯片的装置及其制造。一种装置包括具有第一端面和与所述第一端面相对的第二端面的第一功率半导体芯片，该第一功率半导体芯片带有被布置于第一端面上的第一接触垫。第一接触垫是外部接触垫。该装置进一步包括被联结到第一功率半导体芯片的第二端面的第一接触夹。第二功率半导体芯片被联结到第一接触夹，并且第二接触夹被联结到第二功率半导体芯片。 | ||
| 申请公布号 | CN103094262A | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201210432472.5 | 申请日期 | 2012.11.02 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | K.侯赛因;F-P.卡尔茨;J.马勒;M.门格尔 |
| 分类号 | H01L25/07(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/07(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 王岳;卢江 |
| 主权项 | 一种装置，包括具有第一端面和与所述第一端面相对的第二端面的第一功率半导体芯片，所述第一功率半导体芯片带有被布置于所述第一端面上的第一接触垫，其中所述第一接触垫是外部接触垫；被联结到所述第一功率半导体芯片的所述第二端面的第一接触夹；被联结到所述第一接触夹的第二功率半导体芯片；和被联结到所述第二功率半导体芯片的第二接触夹。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||