| 发明名称 | 磁阻元件结构形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种磁阻元件结构形成方法，包含：提供基板；于该基板上方形成金属镶嵌结构，再于该金属镶嵌结构上方形成图形化磁阻单元，与该金属镶嵌结构完成电性连接。本发明所述之磁阻元件结构形成方法，不但可将集成电路与磁阻材料整合在一起，达到体积极小化，且可将对准之标记与制程巧妙结合，节省光罩的层数。 | ||
| 申请公布号 | CN103094470A | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201210431518.1 | 申请日期 | 2012.11.01 |
| 申请人 | 宇能电科技股份有限公司 | 发明人 | 刘富台;李乾铭;梁志坚;傅乃中 |
| 分类号 | H01L43/12(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人 | 史霞 |
| 主权项 | 一种磁阻元件结构形成方法，其特征在于，包括下列步骤：提供基板；于该基板上方形成金属镶嵌结构，再于该金属镶嵌结构上方形成图形化磁阻单元，与该金属镶嵌结构完成电性连接。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县竹北市台元一街一号六楼之一 | ||