一种用于太阳能电池硅片的磷扩散控制方法

摘要

本发明实施例公开了一种用于太阳能电池硅片的磷扩散控制方法，将硅片装片后推进加工炉，往加工炉内通入氧气并升温，硅片在高温下氧化生成二氧化硅保护层，再对加工炉降温直到五氧化二磷可沉积的温度，通入三氯氧磷、氧气和氮气，三氯氧磷分解生成的五氧化二磷沉积在硅片表面，与硅片发生反应生成磷，然后磷向硅片体内扩散，最后通入氧气再升高温度，使得三氯氧磷能够充分反应，并向硅片体内扩散形成结深的PN结，该方法主要通过对硅片进行高温氧化和低温沉积，从而有效降低硅片的硅格损伤，提高硅片表面少子的寿命，改善形成的PN结的均匀性。

主权项

一种用于太阳能电池硅片的磷扩散控制方法，其特征在于，包括：对硅片进行装片并推进加工炉内；向所述加工炉中通入氧气并开始升温，使所述加工炉内的温度达到所述硅片可氧化的氧化温度并停止升温；让所述硅片在所述氧化温度下进行氧化，直至所述硅片表面生成一层二氧化硅氧化层；向所述加工炉中通入氮气并开始降温，使所述加工炉内温度降至五氧化二磷可沉积的沉积温度，然后保持所述加工炉内所述沉积温度不变；向所述加工炉内通入三氯氧磷、氧气和氮气，其中，所述三氯氧磷分解生成五氯化磷和五氧化二磷，所述五氯化磷与所述氧气反应生成五氧化二磷和氯气，所述五氧化二磷沉积在所述硅片表面上，并且与所述硅片反应生成磷和二氧化硅，所述磷向硅片体内扩散；向所述加工炉内通入过量氧气并对所述加工炉进行升温，以使得所述三氯氧磷充分分解，并且使得所述磷向所述硅片体内推进，形成结深的PN结；对所述加工炉进行降温，并将加工后的所述硅片从所述加工炉取出。