| 发明名称 | 异质金属堆叠栅SSGOI pMOSFET器件结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种异质金属堆叠栅SSGOI pMOSFET器件结构，自上而下依次包括：异质金属堆叠栅结构；栅绝缘层；本征或者n-掺杂应变Si沟道层；本征或者n-掺杂组分渐变的应变Si1-xGex层；n掺杂弛豫Si1-yGey层；台阶式埋氧层；n掺杂衬底部分，由n+掺杂弛豫Si1-yGey层，n-掺杂弛豫Si1-yGey缓冲层、n掺杂驰豫SiGe渐变层以及n-掺杂单晶Si(100)衬底四部分构成。该器件结构简单，与常规体Si SOI工艺完全兼容，集成了“栅极工程”“应变工程”及“衬底工程”三者的优点，并易于CMOS结构工艺集成。 | ||
| 申请公布号 | CN102214694B | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201110141775.7 | 申请日期 | 2011.05.30 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 宋建军;王冠宇;张鹤鸣;胡辉勇;宣荣喜;周春宇 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种异质金属堆叠栅SSGOI pMOSFET器件结构，自上而下依次包括：异质金属堆叠栅结构；栅绝缘层；本征或者n‑掺杂应变Si沟道层；本征或者n‑掺杂组分渐变的应变Si1‑xGex层；n掺杂弛豫Si1‑yGey层；台阶式埋氧层；n掺杂衬底部分，由n+掺杂弛豫Si1‑yGey层、n‑掺杂弛豫Si1‑yGey缓冲层、n掺杂驰豫SiGe渐变层以及n‑掺杂单晶Si(100)衬底四部分构成。 | ||
| 地址 | 710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号西安电子科技大学 | ||