| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体装置。在不增大镇流电阻的宽度的情况下增大镇流电阻的容许电流量。包括在镇流电阻内的至少一个电阻具有第一电阻和第二电阻。第一电阻在电流在保护元件中流动的第一方向（图1中的X方向）上延伸。第二电阻元件与第一电阻元件并联地耦接并且在第一方向上延伸。第二电阻元件和第一电阻元件位于同一条直线上。 | ||
| 申请公布号 | CN103094277A | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201210431974.6 | 申请日期 | 2012.11.02 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 野口江 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 欧阳帆 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：保护元件；以及与保护元件耦接的镇流电阻，其中包括在镇流电阻内的多个电阻中的至少一个电阻包括在电流在保护元件中流动的第一方向上延伸的多个第一电元件；以及第二电阻元件，与第一电阻元件并联地耦接并且在第一方向上延伸。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||