有机发光器件及其光抽取结构的制作方法

摘要

本发明提供一种有机发光器件，包括基板、位于基板上的透明阳极、位于透明阳极上的有机空穴传输层、位于有机空穴传输层上的发光层及电子传输层、阴极；基板的背向透明阳极的表面上形成有可消除基板-空气界面的全反射的光抽取结构。本发明还提供这种有机发光器件的光抽取结构的制作方法。本发明在基板上形成光抽取结构，可以消除基板-空气界面的全反射，进一步提高光抽取效率；基板采用高折射率和高热导率材质，散热良好，可消除基板与透明阳极之间的全反射，提高光抽取效率并同时提高OLED的寿命。

主权项

一种有机发光器件，包括基板、位于所述基板上的透明阳极、位于所述透明阳极上的有机空穴传输层、位于所述有机空穴传输层上的发光层及电子传输层、阴极；其特征在于：所述基板采用单晶钇铝石榴石，其折射率为1.83‑1.87，热导率为0.11W/cm·K，所述基板的背向所述透明阳极的表面上形成有可消除基板‑空气界面的全反射的光抽取结构，光抽取结构为通过以下步骤对基板表面进行刻蚀处理得到的微刻面结构：a.在基板表面上采用磁控溅射或等离子体化学气相沉积法制作二氧化硅或氮化硅掩蔽层，在基板一侧表面的掩蔽层上采用光刻的方法形成图案，基板的位于掩蔽层被保留部分的下方的表面被遮蔽、其余部分暴露；b.将85%的磷酸加热到150‑170℃脱水10分钟，再与98%硫酸按3∶1的比例混合，缓慢升温到190‑300℃，得到刻蚀液；c.将基板放入步骤b得到的刻蚀液中进行刻蚀，刻蚀后取出基板并在冷硫酸中降温，然后用去离子水冲洗基板，用氢氟酸除去掩蔽层；这些微刻面结构的单元尺寸范围在1μm‑20μm之间，各个刻面围成规则的倒锥体。