石墨烯生长工艺

摘要

本公开内容涉及在1400℃以上的温度下在碳化硅表面上通过使硅从表面升华的石墨烯生长的工艺。该工艺包括在特定条件下加热至高达生长温度，这确保表面经历适当改性以允许以一个或多个单层形式的均匀的石墨烯。

主权项

用于在碳化硅基材上通过使硅从所述碳化硅基材表面升华的石墨烯生长的工艺，所述工艺包括将碳化硅基材定位在坩锅中和将所述坩锅布置在反应室中，控制压力并加热至生长温度，在1400℃以上的温度下和在600和1100巴之间的惰性气体压力下在所述基材的表面上生长石墨烯，其中所述加热在至少第一加热阶段和第二加热阶段中进行，所述第一加热阶段以第一加热速率进行，直至至少1200℃的温度，且所述第二加热阶段在所述第一加热阶段之后且以第二加热速率进行，所述第二加热速率比所述第一加热速率快。