用于将转换介质施加到光电子半导体芯片上的方法以及光电子器件

摘要

在方法的至少一个实施方式中，所述方法用于将转换介质（3）施加到光电子半导体芯片（2）上。所述方法包括下述步骤：提供光电子半导体芯片（2）；提供所述转换介质（3），其中所述转换介质（2）安置在载体（4）上；设置所述转换介质（3），使得其具有到所述半导体芯片（2）>0的距离（D）；以及借助于用脉冲激光辐射（6）辐射和加热所述转换介质（3）的吸收组分（36）和/或位于所述转换介质（3）和所述载体（4）之间的剥离层（56），使所述转换介质（3）从所述载体（4）处剥离并且将其施加到所述半导体芯片（2）上，所述脉冲激光辐射穿过所述载体（4）。

主权项

用于将转换介质（3）施加到光电子半导体芯片（2）上的方法，具有下述步骤：‑提供具有辐射主面（20）的所述光电子半导体芯片（2）；‑提供所述转换介质（3），其中所述转换介质（3）安置在载体（4）的载体主面（40）上；‑设置所述转换介质（3），使得其朝向所述辐射主面（20）并且具有到所述辐射主面（20）的距离（D）；以及‑借助于用脉冲激光辐射（6）辐射和加热所述转换介质（3）的吸收组分（36）和/或位于所述转换介质（3）和所述载体（4）之间的剥离层（5），使所述转换介质（3）从所述载体（4）处剥离并且将其施加到所述辐射主面（20）上，所述脉冲激光辐射穿过所述载体（4）。