| 发明名称 | 相变合金材料的无损刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种相变合金材料的无损刻蚀方法，包括如下步骤：提供一半导体衬底；在该半导体衬底上形成相变合金材料层；在所述相变合金材料层的上表面形成刻蚀阻挡层；图形化所述刻蚀阻挡层，以使预设部分的相变合金材料层的表面暴露出来；使暴露出来的相变合金材料层的表面浸没于含有溴化氢与氦气的刻蚀气体中；将所述刻蚀气体激发成等离子体以刻蚀暴露出来的相变合金材料层至所述半导体衬底上。本发明的优点在于，采用了溴化氢的刻蚀气体，可以减少刻蚀过程中的侧向腐蚀，氦气作为惰性气体，可以避免引入氧气或氮气而导致的材料表面性能改变，从而获得清洁、平整、陡直且无侧壁损伤的相变合金材料图形。 | ||
| 申请公布号 | CN103094476A | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201310018505.6 | 申请日期 | 2013.01.18 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李俊焘;刘波;宋志棠;冯高明;吴关平 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;C23F1/02(2006.01)I;C23F1/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
| 主权项 | 一种相变合金材料的无损刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体衬底；在该半导体衬底上形成相变合金材料层；在所述相变合金材料层的上表面形成刻蚀阻挡层；图形化所述刻蚀阻挡层，以使预设部分的相变合金材料层的表面暴露出来；使暴露出来的相变合金材料层的表面浸没于含有溴化氢与氦气的刻蚀气体中；将所述刻蚀气体激发成等离子体以刻蚀暴露出来的相变合金材料层至所述半导体衬底上。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||