| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括栅层叠结构，栅层叠结构包括处在半导体衬底之上的栅电介质层、形成在栅电介质层之上的金属层、以及形成在金属层之上的覆盖层，其中覆盖层包含化学元素，化学元素在覆盖层与金属层之间的界面处的浓度比在覆盖层的其它区域处的浓度高且可用于控制栅层叠结构的有效功函数(eWF)。 | ||
| 申请公布号 | CN103094344A | 申请公布日期 | 2013.05.08 |
| 申请号 | CN201210125265.5 | 申请日期 | 2012.04.25 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 朴祐莹;李起正;池连赫;李承美 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;许伟群 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：栅层叠结构，所述栅层叠结构包括形成在半导体衬底之上的栅电介质层、形成在所述栅电介质层之上的金属层、以及形成在所述金属层之上的覆盖层，其中，所述覆盖层包含化学元素，所述化学元素在所述覆盖层与所述金属层之间的界面处的浓度比在所述覆盖层的其它区域处的浓度高且所述化学元素用于控制所述栅层叠结构的有效功函数。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||