| 发明名称 |
Verfahren zum Trennen von Halbleiter-Dies mittels einer Materialmodifikation |
| 摘要 |
<p>Ein Verfahren (560) zum Trennen von Halbleiter-Dies beinhaltet das Bilden eines porösen Bereichs auf einem Halbleiter-Wafer (in 562) und das Trennen des Die an dem porösen. Bereich (in 564) mittels mechanischer oder anderer Behelfsmittel.</p> |
| 申请公布号 |
DE102012110603(A1) |
申请公布日期 |
2013.05.08 |
| 申请号 |
DE201210110603 |
申请日期 |
2012.11.06 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
ENGELHARDT, MANFRED;FISCHER, PETRA |
| 分类号 |
H01L21/78;H01L21/301;H01L21/306;H01L29/161 |
主分类号 |
H01L21/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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