用LDMOS器件实现的电流采样电路

摘要

本发明公开了一种用LDMOS器件实现的电流采样电路，电流采样用的第一LDMOS器件和电流对比用的第二LDMOS器件的P型阱都用N型注入区包围，第一LDMOS器件的源区用栅极围绕并置于整个电流采样电路的中间；第一LDMOS器件的漏区和第二LDMOS器件的漏区为共用结构，第二LDMOS器件的漏区漂移区和第一LDMOS器件的漏区漂移区连接在一起呈一首尾相连的封闭式结构，第二LDMOS器件的漏区封闭于封闭式结构的里侧、第二LDMOS器件的源区则位于封闭式结构的外侧。本发明能实现两个LDMOS器件之间的完全隔离，消除第一LDMOS器件和第二LDMOS器件的源端之间的漏电。

主权项

一种用LDMOS器件实现的电流采样电路，其特征在于：电流采样电路包括电流采样用的第一LDMOS器件和电流对比用的第二LDMOS器件，所述第一LDMOS器件和所述第二LDMOS器件的栅极共接、漏端共接、源端分开接出；在P型硅衬底上形成有一第一N型注入区，所述第一N型注入区的将所述第一LDMOS器件的第一P型阱和所述第二LDMOS器件的第二P型阱都包围起来，使所述第一P型阱和所述第二P型阱互相由PN结完全隔离开；在所述第一P型阱中形成有所述第一LDMOS器件的源区；所述第一P型阱上覆盖有所述第一LDMOS器件的栅极，所述第一P型阱的被该栅极覆盖区域为形成所述第一LDMOS器件的沟道的区域；所述第一LDMOS器件的漏区形成于第二N型注入区中，位于所述第一P型阱和所述第一LDMOS器件的漏区间的所述第二N型注入区组成所述第一LDMOS器件的漏区漂移区；在所述第二P型阱中形成有所述第二LDMOS器件的源区；所述第二P型阱上覆盖有所述第二LDMOS器件的栅极，所述第二P型阱的被该栅极覆盖区域为形成所述第二LDMOS器件的沟道的区域；所述第二LDMOS器件的漏区形成于所述第二N型注入区中，位于所述第二P型阱和所述第二LDMOS器件的漏区间的所述第二N型注入区组成所述第二LDMOS器件的漏区漂移区；在俯视平面上，所述电流采样电路的版图结构为：所述第一LDMOS器件位于中间位置，所述第一LDMOS器件的源区被一 首尾相连的呈闭合图形结构的栅极围绕在中间，所述第一LDMOS器件的漏区漂移区呈条形结构、且所述第一LDMOS器件的栅极和源区都处于所述第一LDMOS器件的漏区漂移区中，在所述第一LDMOS器件的漏区漂移区的两侧为所述第一LDMOS器件的两根呈条形结构的漏区；所述第二LDMOS器件由多根条形单元并联连接形成，各所述条形单元的源区、漏区漂移区、漏区都为相同的条形结构，最内侧的两个所述条形单元的漏区分别和所述第一LDMOS器件的两个条形漏区共用；从所述第一LDMOS器件的两个条形漏区开始往外，各所述条形单元按照：漏区、漏区漂移区、源区、漏区漂移区、漏区的排列方式依次往外排列；各所述条形单元的漏区漂移区以及所述第一LDMOS器件的漏区漂移区连接在一起呈一首尾相连的封闭式结构，并将所述第二LDMOS器件的漏区封闭于所述封闭式结构的里侧、而所述第二LDMOS器件的源区则位于所述封闭式结构的外侧。